Thông số kỹ thuật cốt lõi
- Công suất cực đại (Pmax): 665W
- Hiệu suất tấm pin: 21.4%
- Loại tế bào quang điện: Mono-crystalline, 132 cell [2 x (11 x 6)]
- Điện áp hở mạch (Voc): 45.4V
- Dòng điện ngắn mạch (Isc): 18.51A
- Kích thước: 2384 x 1303 x 35 mm
- Trọng lượng: 34.4 kg
Công nghệ nổi bật và ứng dụng
- Công nghệ wafer 210 mm: Sử dụng tấm silicon kích thước lớn kết hợp với công nghệ dập sọc dọc (MBB – Multi Busbar) để rút ngắn khoảng cách truyền điện của điện tử, nâng hiệu suất lên mức 21.4%.
- Tối ưu hóa BOS (Balance of System): Công suất lớn trên mỗi tấm giúp giảm số lượng kẹp pin, dây cáp DC, giàn giá đỡ cơ khí và thời gian thi công trên mỗi MWp.
- Ứng dụng tốt nhất: Dự án Solar Farm mặt đất, nhà xưởng quy mô lớn có kết cấu khung thép vững chắc.
Bình luận